VRAM GDDR6W với hiệu năng và dung lượng cao gấp đôi GDDR6
1 year ago
VRAM Samsung GDDR6W sẽ giúp cải thiện hiệu năng của GDDR6 lên mức tiệm cận HBM2E.
Vừa rồi, Samsung đã giới thiệu loại bộ nhớ GDDR6 mới với tên gọi GDDR6W, tăng gấp đôi dung lượng và bổ sung độ rộng (width) của giao tiếp nhằm nhân đôi mức băng thông cao nhất (peak bandwidth). Chip Samsung GDDR6W có thể áp dụng cho các sản phẩm phổ thông, chẳng hạn như card đồ họa.
Chip GDDR6 và GDDR6X hiện tại sẽ tích hợp cho 1 thiết bị DRAM 1 giao tiếp 32-bit. Còn chip GDDR6W thì có đến 2 thiết bị DRAM, cho nên nó sẽ có tới 2 giao tiếp 32-bit, giúp tăng gấp đôi dung lượng (từ 16Gb lên 32Gb cho mỗi con chip) và độ rộng của băng thông (từ 32-bit lên 64-bit). Để làm được điều này, chip GDDR6W sử dụng công nghệ Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) của Samsung, thay thế bảng mạch printed circuit board (PCB) truyền thống bằng lớp redistribution layer (RDL) mỏng hơn và các đường kết nối trong đó cũng nhỏ hơn.
Các thiết bị GDDR6W thường sẽ dùng giao thức giống với GDDR6 nhưng có hiệu năng và dung lượng cao hơn. Chẳng hạn, chip GDDR6W 32Gb có thể đạt băng thông cao nhất là 176 GBps, trong khi chip GDDR6 SGRAM chỉ có 88 GBps.
Samsung cho biết nhờ sử dụng công nghệ đóng gói FOWLP mà họ đã giảm được độ dày của GDDR6W xuống còn 0,7 mm, trong khi chip GDDR6 thông thường dày đến 1,1 mm. Điều này có nghĩa là con chip sẽ dễ làm mát hơn. FOWLP tất nhiên sẽ đắt hơn so với BGA truyền thống, nhưng Samsung không nói rõ con số chênh lệch là bao nhiêu, nhưng khả năng là nó sẽ rẻ hơn so với HBM2E (do GDDR6W không cần dùng đến các interposer đắt tiền).
Samsung nói rằng subsystem GDDR6W 512-bit (sử dụng 8 con chip) có thể tạo ra băng thông lên đến 1,4 GBps với tốc độ truyền dữ liệu là 22 GTps. Ngược lại, subsystem HBM2E 4096-bit có thể tạo ra băng thông lên đến 1,6 TBps với tốc độ truyền dữ liệu là 3,2 GTps, đồng thời mức giá của nó cũng cao hơn nhiều.
Samsung đã tiêu chuẩn hóa công nghệ GDDR6W vào Quý II/2022. Sau đó, họ dự định sẽ ứng dụng GDDR6W vào trí thông minh nhân tạo, các bộ gia tốc tính toán hiệu năng cao, và các sản phẩm như laptop chẳng hạn. Samsung có nói là họ sẽ làm việc với các đối tác GPU để hỗ trợ VRAM GDDR6W, nhưng không cho biết đó là các hãng nào.
Tóm tắt ý chính:
- Samsung giới thiệu bộ nhớ GDDR6W tăng gấp đôi dung lượng và mức băng thông cao nhất
- Chip GDDR6W sử dụng công nghệ Fan-Out Wafer-Level Packaging của Samsung, thay thế bảng mạch printed circuit board truyền thống bằng lớp redistribution layer mỏng hơn và các đường kết nối trong đó cũng nhỏ hơn
- Chip GDDR6W mỏng 0,7 mm nên sẽ dễ làm mát hơn so với GDDR6 dày 1,1 mm
- Samsung định ứng dụng GDDR6W vào AI, các bộ gia tốc tính toán hiệu năng cao, laptop, card đồ họa phổ thông, vân vân
Nguồn: tom’s HARDWARE